收藏本站
IXTP64N055T
IXTY64N055T
65
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
180
160
140
120
100
80
60
40
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
10
5
0
5V
20
0
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
65
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 32A Value
vs. Junction Temperature
60
55
50
45
V GS = 10V
9V
8V
2.2
2
1.8
V GS = 10V
40
35
30
25
20
15
10
5
0
7V
6V
5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 64A
I D = 32A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 32A Value
vs. Drain Current
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.2
V GS = 10V
3
15V - - - -
T J = 175oC
60
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
T J = 25oC
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTP70N085T MOSFET N-CH 85V 70A TO-220
IXTP7N60PM MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
IXTP7N60P MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
IXTP8N50PM MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
IXTP8N50P MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
IXTQ102N15T MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
IXTQ110N055P MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
IXTQ140N10P MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTP6N100D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP6N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP6N50P 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP6N60 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
IXTP6N60A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
IXTP6P25 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220
IXTP70N075T2 功能描述:MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP70N085T 功能描述:MOSFET MOSFET Id70 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube